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新聞詳情
IGBT模塊常用的功率器件
日期：2025-11-03 01:49
瀏覽次數：1250
摘要：
變頻器向前發展，一直是隨著電力電子器件的發展而發展。只要電力電子器件有了新的飛躍，變頻器就一定有個新飛躍，必定有新的變頻器出現。在20世紀50年代出現了硅晶閘管(SCR);60年代出現可關斷晶閘管(GTO晶閘管);70年代出現了高功率晶體管(GTR)和功率場效應管(MOSFET);80年代相繼出現了絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)以及門控晶閘管(IGCT)和電力加強注入型絕緣柵極晶體管(IEGT)，90年代出現智能功率模塊(IPM)。由于這些元器件的出現，相應出現了以這些逆變器件為主的變頻器，反過來，變頻器要求逆變器件有個理想的靜態特性：在阻斷狀態時，能承受高電壓;在導通狀態時，能大電流通過和低的導通壓降，損耗小，發熱量小;在開關狀態轉換時，具有短的開、關時間，即開關頻率高，而且能承受高的du/dt;全控功能，壽命長、結構緊湊、體積小等特點，當然還要求成本低。上述這些電力電子器件有些是滿足部分要求，有些是逐步向這個方向發展，達到完善的要求，特別是中(高)壓變頻器更需要耐壓高的元器件。
尊敬的客戶： 您好！北京昊天成科技有限公司是一支技術力量雄厚的高素質的開發群體。你當前所在頁面是IGBT模塊的產品，如果你對該產品感興趣的話，可以撥打我們的服務專線了解更多相關產品的詳細信息，我們將竭盡全力的為您服務,主要產品有：西門康IGBT、BUSSMANN、BUSSMANN熔斷器等。
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