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驅動模塊外圍電路的改進

日期：2025-11-05 07:41

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摘要：

IGBT當關閉。發射器收集器之間。由此產生的電壓上升率高達30000 v / u s。過高會產生較大的位移電流。和導致大收藏家脈沖沖擊電流,很容易使動態與生活發生IGBT。為了避免IGBT的誤操作,必須在IGBT門加負偏壓。然而,在實際應用中,以下兩個驅動電路條件將導致負偏壓的消失:

(1)齊納二極管擊穿短路;

(2)驅動電路失去24 v電源。針對上述兩種情況,作者根據制造商的推薦電路提高了IGBT驅動模塊M57962L外圍電路。在正常情況下。VZ4傳導,M57962L端腳為高潛力,VD1期限。VT2傳導。VO1輸出在低電阻狀態。如果齊納二極管VZ1或擊穿短路VZ3,VZ4截止,VO1 VT1截止,輸出是高阻抗狀態。如果驅動電路失去24 v電壓,通過VO1 VO1輸入電流,輸出是高阻抗狀態。

IGBT模塊和濾波器電容的輸入特性和場效應晶體管IGBT是相似的。高輸入阻抗。如果失去電壓驅動電路,IGBT電網損失負偏壓。發射器是高阻抗狀態。在這一點上,一旦有干擾到IGBT門,IGBT模塊的上下兩管同時辦理。如果直接與成千上萬的IGBT模塊的方法過濾微電容耦合,然后濾波電容器儲存的能量釋放是直接由IGBT模塊的上、下管,容易引起損傷的IGBT模塊。因此,感應加熱電源在引導首先通過對控制、驅動電路的電源、IGBT模塊和濾波電容耦合。當關機IGBT模塊和濾波電容斷開**,在關掉控制和驅動電路的電源。

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